Электроника

АО «НИИЭТ» (входит в ГК «Элемент») уже не первый год занимается разработкой и реализацией собственного испытательного оборудования. Данные работы выполняются, в том числе, с использованием субсидий согласно постановлению Правительства РФ от 16 декабря 2020 года № 2136 «Об утверждении Правил предоставления из федерального бюджета субсидий российским организациям на финансовое обеспечение мероприятий по проведению научно-исследовательских и ...

Продолжить чтение

Одним из направлений деятельности АО «НИИЭТ» (входит в ГК «Элемент») является разработка испытательного оборудования на основе обширного опыта в сфере проведения испытаний ЭКБ. Данные работы выполняются, в том числе, с использованием субсидий согласно постановлению Правительства Российской Федерации от 16 декабря 2020 года № 2136 «Об утверждении Правил предоставления из федерального бюджета субсидий российским организациям на ...

Продолжить чтение

Докторанты, преподаватели ВУЗов, соискатели, научные работники и практикующие специалисты могут разместить свои материалы в новом научном журнале «СТЭК-В». Также информируем о возможности размещения рекламных материалов в журнале. Издание выпускается как в печатном, так и в электронном формате, распространяется по подписке и розничной продаже на маркетплейсе OZON. Наше издание является открытой площадкой общения профессиональных ученых и ...

Продолжить чтение

Воронежский НИИ электронной техники сегодня по праву занимает одно из лидирующих мест среди отечественных разработчиков и производителей LDMOS-транзисторов. В мае этого года институт завершил испытания новейших мощных СВЧ LDMOS-транзисторов КП9171А и КП9171БС, в настоящее время продолжают приниматься заявки от предприятий, заинтересованных в данной продукции. Изделия полностью соответствуют требованиям технического задания и не уступают аналогам по ...

Продолжить чтение

Один из новых стендов испытаний на надежность ЭКБ в линейке - «СИТ-210» производства АО «НИИЭТ» (входит в ГК «Элемент») уже в скором времени будет поставлен на Новосибирский завод полупроводниковых приборов – одно из немногих предприятий полного цикла производства электронной продукции в стране. Для АО «НЗПП Восток» это уже второе приобретение испытательных стендов производства НИИЭТ. Ранее ...

Продолжить чтение

АО «НИИЭТ» активно реализует проекты по созданию передовой электронной компонентной базы в различных направлениях, включая разработку микроконтроллеров, СВЧ- и силовых приборов, осваивает новые технологии и разрабатывает испытательное оборудование. В Институте первое полугодие завершилось перевыполнением плановых показателей на различных производственных площадках. Например, в испытательном центре проводятся испытания не только микросхем и полупроводниковых приборов, а всей номенклатуры ...

Продолжить чтение

Испытательный стенд СИТ Д-70, разработанный НИИ электронной техники (входит в Группу «Элемент»), один из представителей флагманской линейки испытательных стендов, предназначен для проведения отбраковочных испытаний и испытаний ЭКБ на надёжность. Максимальное количество испытываемых изделий – 70 шт. Но линейка оборудования предусматривает также стенды с загрузкой на 30 и 50 изделий. Стенд оснащён компактными высокопроизводительными источниками питания. ...

Продолжить чтение

Именно транзисторы АО «НИИЭТ» КТ9155, КТ9152, КТ9174 обеспечили надежность и качество государственной системы аналогового телевизионного эфирного вещания нашей страны в XX и начале XXI века. В настоящее время, по прошествии более 30 лет, институт электронной техники реализует проект по разработке первых отечественных транзисторов для цифрового эфирного телевизионного вещания. Специалисты предприятия успешно завершили испытания LDMOS-транзисторов КП9171А ...

Продолжить чтение

С 15 по 19 апреля 2024 года специалисты НИИЭТ побывали у своих коллег в городе Брянске на одном из крупнейших предприятий микроэлектроники России – АО «Группа Кремний Эл». Был выполнен весь объем работ по вводу в эксплуатацию автоматической камеры теплового удара производства АО «НИИЭТ» (входит в Группу «Элемент»). Испытания на тепловой удар – неотъемлемая часть ...

Продолжить чтение