Именно транзисторы АО «НИИЭТ» КТ9155, КТ9152, КТ9174 обеспечили надежность и качество государственной системы аналогового телевизионного эфирного вещания нашей страны в XX и начале XXI века. В настоящее время, по прошествии более 30 лет, институт электронной техники реализует проект по разработке первых отечественных транзисторов для цифрового эфирного телевизионного вещания. Специалисты предприятия успешно завершили испытания LDMOS-транзисторов КП9171А и КП9171БС. Согласно результатам испытаний, изделия обеспечивают требования технического задания и соответствуют лучшим мировым аналогам. При этом транзистор КП9171БС, являясь первым отечественным несимметричным транзистором, разработанным для применения в схемах Догерти, обеспечивает наилучшее сочетание линейности характеристик, выходной мощности и эффективности.
В настоящее время LDMOS-технология является доминирующей кремниевой технологией изготовления СВЧ-транзисторов, применяемых в таких областях, как сотовая связь, радиолокация, цифровое телевидение. Разработанные в АО «НИИЭТ» транзисторы предназначены для работы в усилителях телевизионных сигналов, кроме того, они могут применяться в системах радиолокации и навигации.
Мощные СВЧ LDMOS-транзисторы разработки АО «НИИЭТ» не имеют аналогов в нашей стране и способны удовлетворить специфические требования работы в передатчике сигнала стандартов DVB-T/ DVB-T2, при этом обеспечивая высокие значения коэффициента усиления по мощности и коэффициента полезного действия в сочетании с высокой линейностью передаточной характеристики.
Завершение опытно-конструкторской работы намечено на конец мая. Потенциальным потребителям уже предоставлены тестовые образцы. Первые серийные поставки изделия запланированы на четвертый квартал этого года, в настоящее время принимаются заявки. Работа по созданию мощных СВЧ LDMOS-транзисторов с улучшенной энергоэффективностью для передатчиков цифрового эфирного телевещания выполнялась при софинансировании из федерального бюджета в рамках программы субсидирования в соответствии с постановлением Правительства РФ от 24 июля 2021 года № 1252.
Основные энергетические параметры 2П9171А: коэффициент усиления по мощности – не менее 20 дБ, коэффициент полезного действия стока – не менее 45%, коэффициент комбинационных составляющих третьего порядка – не более -30 дБ при выходной мощности в пике огибающей 140 Вт и напряжении питания 50 В на рабочей частоте 860 МГц. При этом транзистор обладает практически двукратным запасом по мощности 250 Вт.
Основные энергетические параметры КП9171БС: коэффициент усиления по мощности – не менее 18,6 дБ, коэффициент полезного действия стока – не менее 50%, значение параметра IMDSHLDR – не более -33 дБ при непрерывной выходной мощности 180 Вт и напряжении питания 50 В на рабочей частоте 550 МГц. При этом транзистор обеспечивает до 1кВт пиковой импульсной мощности.
